个人简历

刘立，博士、副教授、硕士生导师。男，1995年生，2017年获华北电力大学工学学士学位，2024年获浙江大学工学博士学位，现任工学院电气工程系副教授。

先后参与国家级科研课题5项，相关成果在IEEE Electron Device Letters，Transactions on Electron Devices，Transactions on Power Electronics等高水平期刊或会议上发表相关论文30篇（SCI论文16篇），出版学术著作1部，获授权国家发明专利4项，获得IEEE WiPDA-Asia国际会议的最佳论文奖（Best Paper Award）。

研究方向

宽禁带半导体器件及功率集成技术，涉及新型结构设计、工艺开发制备、测试表征及应用等。

主要承担的教学课程

本科生课程：模拟电子技术、电力电子器件及应用

代表性学术成果

论文及专利：

1. L. Liu, J. Wang, N. Ren, Q. Guo, and K. Sheng, 1.43 kV 4H-SiC Lateral Junction Barrier Schottky Diode With High BFOM (390 MW/cm²), IEEE Electron Device Letters, vol. 45, no. 8, pp. 1492-1495, 2024.

2. L. Liu, Q. Guo, J. Wang, M. Bai, J. Li, N. Ren, and K. Sheng, “Design and Experimental Demonstration of 4H-SiC Lateral High-Voltage MOSFETs With DOUBLE-RESURFs Technology for Power ICs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 3, pp. 1572-1579, 2024.

3. L. Liu, J. Wang, Z. Zhu, H. Xu, Q. Guo, N. Ren, and K. Sheng, 1540V 21.8mΩ·cm2 4H-SiC Lateral MOSFETs With DOUBLE RESURFs for Power Integration Applications, Solid-State Electronics, vol. 211, pp. 108829, 2024.

4. L. Liu, J. Wu, H. Xu, Z. Zhu, N. Ren, Q. Guo, J. Zhang, and K. Sheng, The Impact of the Hexagonal and Circular Cell Designs on the Characteristics and Ruggedness for 4H-SiC MPS Diodes, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 3, pp. 1226-1232, 2022.

5. L. Liu, J. Wang, H. Wang, N. Ren, Q. Guo, and K. Sheng, Sidewall-Implanted Trench Termination for 4H-SiC Devices With High Breakdown Voltage and Low Leakage Current, IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 1, pp. 104-107, 2022.

6. L. Liu, J. Wu, N. Ren, Q. Guo, and K. Sheng, 1200-V 4H-SiC Merged p-i-n Schottky Diodes With High Avalanche Capability, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 9, pp. 3679-3684, 2020.

主要科研项目

参与：

1. 面向高频高压应用的元胞级碳化硅功率集成芯片技术基础研究，国家自然科学基金面上项(51877198)，2019-2022.

联系方式

Email：liuli@zjhu.edu.cn